@article{Rasero Causil_Portacio Lamadrid_Rodríguez_2016, title={Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn1−XGaXSe2}, volume={7}, url={https://revistas.uptc.edu.co/index.php/ciencia_en_desarrollo/article/view/4225}, DOI={10.19053/01217488.4225}, abstractNote={<p>Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn1−xGaxSe2 (x = 0,0, 0,2, 0,4, 0,6, 0,8, 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn1−xGaxSe2 es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x &lt, 0,32 y negativo para x &gt, 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se.</p>}, number={1}, journal={Ciencia en Desarrollo}, author={Rasero Causil, D. A. and Portacio Lamadrid, A. A. and Rodríguez, J. A.}, year={2016}, month={feb.}, pages={9–14} }