Amplificador a bajo ruido LNA a 1.9 GHZ

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Autores

Jorge Julián Moreno-Rubio
Libardo Enrique Hernández-Rangel

Resumen

Este articulo muestra el diseño, la simulación, y el layout de un amplificador a bajo ruido (LNA), diseñado con una banda  aproximada  de  25  a  80 MHz.  Se muestran  los resultados del diseño de las redes de acople, su figura de ruido,  su  ganancia  disponible  y  transducida  según  su modelo  no  lineal  (TOM),  la  red  de  conexión DC,  los inductores de choque y  los capacitores de desacople  junto con  las  líneas  de  transmisión  de  alta  impedancia característica.

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Referencias

[1] González G., (1997): Microwave Transistor Amplifiers (Book style), 2nd ed. Ed. New Jersey: Prentice Hall.

[2] Pozar J.D., (1998): Microwave enginnering (Book style), 2nd ed, Ed. New York: John Wiley.

[3] Vendelin G.D. (1997): Pavio A.M.; Rohde U.L. Microwave circuit design using linear and nonlinear techniques Microelectronics Realibility, Vol 37(6), June, pp. 973-974 (2). Elsevier Science.

[4] Shaeffer DK, TH Lee (1997): A. 1.5 V, 1.5 GHz CMOS low noise amplifier- IEEE Journal of solid-State Circuits.

[5] Henkes DD, (1998): LNA Design Uses Series Feedback to Achieve Simultaneous Low Input VSWR and Low Noise-APPLIED MICROWAVE AND WIRELESS, Goo JS, HT Noise Optimization Technique for Integrated Low- Noise Amplifiers- IEEE Journal of Solid State Circuits, - AMSD Center, CDS.

[6] Inc, (1999): CA San Jose Effects of substrate resistances on LNA performance and a bondpad structure for reducing the effects in a silicon bipolar technology, IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol 34 (9).

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