Síntesis y caracterización del compuesto binario Pr2S3
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Sección: ARTÍCULOS DE INVESTIGACIÓN / RESEARCH PAPERS
Cómo citar
Ramírez Sanabria, A., Quijano Ortega, N., & Gaona Jurado, S. (2018). Síntesis y caracterización del compuesto binario Pr2S3. CIENCIA EN DESARROLLO, 9(2), 95-98. https://doi.org/10.19053/01217488.v9.n2.2018.5974
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Contenido principal del artículo
Autores
Alfonso Enrique Ramírez SanabriaNatalia Quijano Ortega
Sonia Gaona Jurado
Resumen
En el trabajo actual se muestra que el método de síntesis que consiste en la reacción directa de praseodimio
y azufre en su forma elemental, utiliza calor como tratamiento, con temperaturas relativamente bajas
y tiempo de reacción de una semana, permite la preparación del compuesto Pr2S3, con una pureza de
alrededor del 92%. La caracterización respectiva de los materiales resultantes se llevó a cabo utilizando
polvo XRD, donde se determinó que el tratamiento térmico utilizado conduce de manera efectiva a la
fuente binaria de interés, un compuesto conocido por ser semiconductor.
y azufre en su forma elemental, utiliza calor como tratamiento, con temperaturas relativamente bajas
y tiempo de reacción de una semana, permite la preparación del compuesto Pr2S3, con una pureza de
alrededor del 92%. La caracterización respectiva de los materiales resultantes se llevó a cabo utilizando
polvo XRD, donde se determinó que el tratamiento térmico utilizado conduce de manera efectiva a la
fuente binaria de interés, un compuesto conocido por ser semiconductor.
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Detalles del artículo
Referencias
[1] Selishchev, A. and V. Pavlishchuk, Effect of Formation Conditions on the Size, Shape and Spectral Properties of EuS and Pr2S3Nanoparticles. Theoretical and Experimen-tal Chemistry, 2014. 50(1): p. 39-45.
[2] Krichevtsov, B., Anisotropy of the linear and quadratic magnetic birefringence in rare-earth semiconductors (γ-Ln2S3 (Ln= Dy3+, Pr3+, Gd3+, La3+). Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2001. 92(5): p. 830-839.
[3] Ohta, M., et al., Preparation of R2S3 (R: La, Pr, Nd, Sm) powders by sulfurization of oxi-de powders using CS2 gas. Journal of alloys and compounds, 2004. 374(1): p. 112 -115.
[4] Ohta, M., et al., Phase transformation and microstructures of Ln2S3 (Ln= La, Sm) with different impurities content of oxygen and carbon. Journal of alloys and compounds, 2006. 408: p. 551-555.
[5] Ohta, M., et al., Thermoelectric properties of Th3P4-type rare-earth sulfides Ln2S3(Ln= Gd, Tb) prepared by reaction of their oxides with CS2 gas. Journal of Alloys and Compounds, 2008. 451(1): p. 627-631.
[2] Krichevtsov, B., Anisotropy of the linear and quadratic magnetic birefringence in rare-earth semiconductors (γ-Ln2S3 (Ln= Dy3+, Pr3+, Gd3+, La3+). Journal of Experimental and Theoretical Physics, 2001. 92(5): p. 830-839.
[3] Ohta, M., et al., Preparation of R2S3 (R: La, Pr, Nd, Sm) powders by sulfurization of oxi-de powders using CS2 gas. Journal of alloys and compounds, 2004. 374(1): p. 112 -115.
[4] Ohta, M., et al., Phase transformation and microstructures of Ln2S3 (Ln= La, Sm) with different impurities content of oxygen and carbon. Journal of alloys and compounds, 2006. 408: p. 551-555.
[5] Ohta, M., et al., Thermoelectric properties of Th3P4-type rare-earth sulfides Ln2S3(Ln= Gd, Tb) prepared by reaction of their oxides with CS2 gas. Journal of Alloys and Compounds, 2008. 451(1): p. 627-631.
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