Amplificador operacional de transconductancia con alto rango modo común y bajo consumo de potencia
Resumen
En este artículo se presenta el diseño de un amplificador operacional de transconductancia OTA, operando en la región para bajo consumo de potencia en sub-umbral. Donde se realizaron simulaciones con las herramientas del programa SYNOPSYS para la tecnología de 180nm. El amplificador diferencial es alimentado con un VDD de 600mV, y tiene una capacitancia de carga de 15pF. El amplificador tiene una ganancia de 60,08dB con una frecuencia de ganancia unitaria de 21.7kHz, y margen de fase de más de 50 grados. Alcanzando una amplia operación en modo común por el uso de pares diferenciales de entrada complementarios (NMOS y PMOS) que muestra un rango de operación de 500mV.
Palabras clave
bajo consumo de potencia, circuitos en sub-umbral, región de operación
Biografía del autor/a
Héctor Iván Gómez-Ortiz
Ingeniería Electrónica
Citas
- Wang, A; Chandrakasan, A; Kosonocky, S (2002, 4 April), "Optimal Supply and Threshold Scaling for Sub- threshold CMOS Circuits" [conference], IEEE Computer Society Annual Symposium, Washington.
- Chandrakasan, A; Verma, N and Daly, D (August 2008). “Ultralow-Power Electronics for Biomedical Applications”. Annual Review of Biomedical Engineering, Vol. 10 (1), pp. 247-274.
- DOI: http://dx.doi.org/10.1146/annurev.bioeng.10.061807.160547
- Baker, R. (2010). CMOS circuit desing, layout, and simulation. New Jersey: IEEE press.
- DOI: http://dx.doi.org/10.1002/9780470891179
- Chandrakasan, A and Calhoun B. (2004, 11 August). Characterizing and modeling minimum energy operation for sub-threshold circuit. [Conference]. Low Power Electronics and Design, Newport Beach.
- Joyce K. and Chandrakasan, A (2006,4-6 Octover). Variation-Driven Device Sizing for Minimum Energy Subthreshold circuits [conference]. Low Power Electronics and Design, Tegernsee.
- Magnelli, L., Francesco, A., Felice, C., Gregorio, C., Giuseppe, L. (2013, January.). Design of a 75-nW, 0.5-V subthreshold complementary metal–oxide– semiconductor operational amplifier. International Journal of Circuit Theory and Applications, Vol. 42 (9),
- pp. 967–977. DOI: http://dx.doi.org/10.1002/cta.1898.
- Shi, B and Nang L. (2013, 3-5 June). A 116-dB CMOS Op Amp with Repetitive Gain Boosting and Subthreshold Operation [conference]. Electron Devices and Solid-State Circuits, Hong Kong.
- Tripurari, S., & Vijaya, B. (19-20 February, 2015). Ultra Low-power Bulk and Gate-driven, Class AB, Sub-threshold Transconductor [conference]. 2nd International Conference Signal Processing and Integrated Networks. IEEE, Noida, Delhi - NCR, India.