Amplificadores de potencia para aplicaciones de microondas basados en dispositivos GaN

Autores/as

  • Jorge Julián Moreno-Rubio UPTC, Sogamoso
  • Edison Ferney Angarita-Malver UPTC, Sogamoso
  • Norma Restrepo-Burgos UPTC, Sogamoso
  • Julián Leonardo Rodríguez UPTC, Sogamoso
  • Juan Mauricio Salamanca UPTC, Sogamoso
  • William Alexander Cuevas-Carrero UPTC, Sogamoso

DOI:

https://doi.org/10.19053/1900771X.5120

Palabras clave:

amplificadores de potencia, dispositivos GaN, amplificadores de microondas

Resumen

Este artículo presenta una discusión sobre las estrategias de diseño de diferentes tipos de amplificadores de potencia para aplicaciones RF/Microondas, tales como el amplificador de carga sintonizada, Clase F, F inverso y Doherty. Además, se muestra la caracterización en onda continua de los amplificadores arriba mencionados, y una comparación de los resultados obtenidos, en términos de ganancia, eficiencia y potencia de salida.

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Publicado

2017-09-07

Cómo citar

Moreno-Rubio, J. J., Angarita-Malver, E. F., Restrepo-Burgos, N., Rodríguez, J. L., Salamanca, J. M., & Cuevas-Carrero, W. A. (2017). Amplificadores de potencia para aplicaciones de microondas basados en dispositivos GaN. Ingeniería Investigación Y Desarrollo, 16(1), 21–25. https://doi.org/10.19053/1900771X.5120

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