Amplificadores de potencia para aplicaciones de microondas basados en dispositivos GaN

Jorge Julián Moreno-Rubio; Edison Ferney Angarita-Malver; Norma Restrepo-Burgos; Julián Leonardo Rodríguez; Juan Mauricio Salamanca; William Alexander Cuevas-Carrero

doi:10.19053/1900771X.5120

Autores/as

Jorge Julián Moreno-Rubio UPTC, Sogamoso
Edison Ferney Angarita-Malver UPTC, Sogamoso
Norma Restrepo-Burgos UPTC, Sogamoso
Julián Leonardo Rodríguez UPTC, Sogamoso
Juan Mauricio Salamanca UPTC, Sogamoso
William Alexander Cuevas-Carrero UPTC, Sogamoso

DOI:

https://doi.org/10.19053/1900771X.5120

Palabras clave:

amplificadores de potencia, dispositivos GaN, amplificadores de microondas

Resumen

Este artículo presenta una discusión sobre las estrategias de diseño de diferentes tipos de amplificadores de potencia para aplicaciones RF/Microondas, tales como el amplificador de carga sintonizada, Clase F, F inverso y Doherty. Además, se muestra la caracterización en onda continua de los amplificadores arriba mencionados, y una comparación de los resultados obtenidos, en términos de ganancia, eficiencia y potencia de salida.

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