Diseño e implementación de un amplificador de potencia RF a 1748 ghz - área de ingeniería

Design and implementation of a power amplifier rf at 1.748GHz- Area of engineering

Contenido principal del artículo

Jorge Julián Moreno-Rubio
Will Amaya-Medina
Libardo Enrique Hernández

Resumen

Los  amplificadores  clase F  se  caracterizan  por  su  alta eficiencia, que  los hace útiles en circuitos de  transmisión. El  presente  artículo  contiene  el  diseño,  simulación  e implementación de un amplificador RF clase F a 1748 GHz.  La  implementación  se  realizó  utilizando  líneas microcinta con substrato RF 35 de  la empresa Taconic. Se muestran  los  resultados  obtenidos  y  se  evalúa  su comportamiento.

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Referencias (VER)

Aoki, N. , Asano, Y., Minova, M., y Takano, T. (1992): Improved Output spectrum of linearized class-F power amplifier for digital cellular mobile communications IEEE.

Davis, W.A., y Agarwal,K.R. (2001): Radio frequency circuit design, ed, New York, John Wiley.

Duvanaud, C., Dietsche, S., Pataut, G., y Obregon, J. (1993): High Efficient class F GaAs FET Amplifiers Operating with very low bias voltages for use in mobil telephones at 1.75 Ghz. IEEE Microwave, Vol. 7, pp. 40-48.

Gonzalez, G., Microwave Transistor Amplifiers (1997):New Jersey, Prentice Hall, 2nd ed.

Pozar, D., Microwave Transistor Amplifiers (1998): 2 nd ed. (ed), New York, Jhon Wiley.

Pozar, D., (2001): Microwave and RF design of wireless systems, Ed, New York, John Wiley.

Rohde, U.L., Newkirk D.P., (2000): RF/Microwave circuit design for wireless aplications, ed, New York, Jhon Wiley.

Rudiakova, A.N., (2005): BJT Class-F Power Amplifier near Transition Frequency, IEEE Transantions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 53, pp. 45-50.