Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn1−XGaXSe2

Ga Concentration Effect on the CuIn1-xGaxSe2 Electronic Properties

Contenido principal del artículo

D. A. Rasero Causil
A. A. Portacio Lamadrid
J. A. Rodríguez

Resumen

Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn1−xGaxSe2 (x = 0,0, 0,2, 0,4, 0,6, 0,8, 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn1−xGaxSe2 es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x &lt, 0,32 y negativo para x &gt, 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se.

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