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Vol. 7 Núm. 1 (2016)
Enero a Junio

Revisiones/Reviews

Efecto de la concentración de Ga sobre las propiedades electrónicas del CuIn1−XGaXSe2

https://doi.org/10.19053/01217488.4225

Publicado 2016-02-15

  • D. A. Rasero Causil
    • ,
  • A. A. Portacio Lamadrid
    • ,
  • J. A. Rodríguez

Resumen

Se reportan cálculos de propiedades electrónicas del compuesto CuIn1−xGaxSe2 (x = 0,0, 0,2, 0,4, 0,6, 0,8, 1,0), usando el método Tight-Binding (TB) y Virtual Crystal Approximation (VCA). Se considera el caso ideal y con las distorsiones tetragonal (η) y aniónica (μ). En ambos casos, el CuIn1−xGaxSe2 es un semiconductor directo en Γ, para todas las concentraciones. Se encontró que el Crystal Field Splitting (CFS) en el punto Γ depende principalmente de la distorsión tetragonal. El CFS es positivo para x &lt, 0,32 y negativo para x &gt, 0,32. Este comportamiento se debe a que cuando aumenta x, la celda unitaria se contrae, acercando el pseudoátomo (In,Ga) al átomo de Se.

Palabras clave

CuIn1−xGaxSe2, Tight-Binding, aproximación de cristal virtual, Crystal Field Splitting. (CuIn1-xGaxSe2, Virtual Crystal Approximation, Crystal Field Splitting)

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Citas

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