Ecuaciones cerradas para el diseño de amplificadores clase F
Resumen
Este artículo muestra una metodología para el diseño de amplificadores clase F, basada en ecuaciones cerradas que permiten el cálculo directo de la red de acople de salida. Como demostración, un prototipo ha sido realizado usando el dispositivo GaN HEMT CGH40010 de Cree, obteniendo una eficiencia de drenaje máxima de 65%, ganancia a pequeña señal de 14.2 dB y potencia de salida en saturación de 41 dBm, usando excitación tipo sinusoidal. Las formas de onda obtenidas para el voltaje y la corriente de drenaje son coherentes con la teoría y los resultados en onda-continua son sobresalientes.
Palabras clave
GaN-HEMT, amplificador de potencia, alta eficiencia, HEMTs, amplificador de microondas.
Biografía del autor/a
Jorge Julián Moreno-Rubio
Ingeniero Electrónico, Magister en Ingeniería Electrónica y
Doctor en Dispositivos Electrónicos. Profesor Asistente, Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Javier Francisco Rodríguez-Mora
Ingeniero de Sistemas, Candidato a Magister en Tecnología Informática
Nydia Esperanza Cely-Angarita
Ingeniero de Sistemas, Candidato a Magister en Tecnología Informática Grupo de Investigación en Telecomunicaciones
Edison Ferney Angarita-Malaver
Ingeniero Electrónico, Estudiante de Maestría en Ingeniería. Grupo de Investigación en Telecomunicaciones
Referencias
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